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表面汚染密度、外部被ばく線量の計算

ブログをご覧の皆さん、こんにちは。
表面汚染に関する問題や非密封放射性同位元素の取扱いに関する問題は管理測定技術の試験で非常によく出題されています。
今日はこれらに関するまとめの記事を紹介したいと思います。

表面汚染の測定方法について(第7版放射線概論P.504-505)
①直接法:固着性、遊離性の両方の汚染の検出
②間接法(スミア法):遊離性の汚染の検出

固着性汚染:体外被ばくのみ問題となる
遊離性汚染:体外、体内被ばくの両方が問題となる

①直接法:サーベイメータを使用して汚染を検査する
線源自身の汚染、バックグラウンドの高い場所では不向き
測定時間は時定数の3倍以上に設定 測定時間を時定数の3倍 に設定しておけば十分な計数率が得られる(時定数とは最終値の63.2%に達する時間)

○直接法による表面汚染密度を求める公式

 イメージ 1
 
 A:表面汚染密度[Bq/cm2]、N:測定計数率、Nb:バックグラウンド計数率
 ε1:α,β線などの検出効率、W:測定器の有効面積、εs:汚染の線源効率

線源効率εsは汚染線源の性状で変化するため実験的に求めることが望ましいが、不明の場合は、
 0.25(0.15-0.4MeVのβ線及びα線)
 0.5(0.4MeV以上ののβ線)
(平成19年度管理測定技術問1Ⅱ,平成22年度管理測定技術問2Ⅲ参照)

②間接法(スミア法):ろ紙等により表面を拭き取り、その放射能を測定する
32P(1.71MeV)などの0.26MeV以上のβ線ではスミア法で拭き取ったろ紙を液体シンチレーションで測定する場合、チェレンコフ光が利用できる

○間接法による表面汚染密度を求める公式

 イメージ 2
 
   ふき取り効率Fは
   0.5(PVCなどの非浸透性固体表面)
   0.05(コンクリートなどの浸透性固体表面)
   0.1(浸透性、非浸透性の区分がない場合)

 A:表面汚染密度[Bq/cm2]、N:測定計数率、Nb:バックグラウンド計数率
 ε1:α,β線などの検出効率、F:ふき取り効率、S:ふき取り面積
 εs:汚染の線源効率
(平成22年度管理測定技術問2Ⅲ参照)
 
手や足の汚染測定にはハンドフットクロスモニタが使用される。
 
非密封放射性同位元素取扱い時の外部被ばく線量(第7版放射線概論P.469)
放射能Q[MBq]の線源からr[m]離れた位置での線量率E[μSv・h-1]を求める公式

 イメージ 3
 
 ΓE:線量率定数[μSv・m2・MBq-1・h-1]

この外部被ばくの低減化のためには、以下の3つが重要です。
 
①作業時間の短縮化
 ②遮へいの強化
 ③線源からの距離の確保
すなわち、「時間」「遮へい」「距離」の三原則です。

外部被ばくにおける線量率を求める問題では、遮へいのための半価層、1/10価層も同時に問われることも多いので、必ず半価層、1/10価層の公式も暗記し計算できるようにしておいて下さい。
 
表面汚染に関する計算問題
平成19年度管理測定技術問1Ⅱ,問3Ⅲ
平成20年度管理測定技術問2Ⅲ
平成22年度管理測定技術問2Ⅲ
平成23年度管理測定技術問3Ⅱ
平成27年度管理測定技術問4Ⅰ
平成29年度管理測定技術問6Ⅰ
平成30年度管理測定技術問3Ⅲ
 
外部被ばく線量に関する問題
平成18年度管理測定技術問4Ⅲ
平成20年度管理測定技術問3Ⅱ
平成21年度管理測定技術問3Ⅲ
平成22年度管理測定技術問4Ⅱ
平成23年度管理測定技術問3Ⅰ
平成25年度管理測定技術問3Ⅲ
平成26年度管理測定技術問3Ⅲ
平成27年度管理測定技術問3Ⅰ
平成28年度管理測定技術問1Ⅲ,問4Ⅱ
平成29年度管理測定技術問3Ⅰ,問4Ⅲ